信息学院傅旻帆团队在IEEE WiPDA Asia 2025国际会议中斩获青年科学家奖和两项最佳口头报告奖

近日，2025年IEEE宽禁带功率器件与应用亚洲专题研讨会（IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia, IEEE WiPDA Asia 2025）落下帷幕。本次会议聚焦宽禁带功率半导体器件及其创新应用的前沿探讨，上海科技大学信息科学与技术学院傅旻帆教授凭借在宽禁带功率器件与应用领域的突出研究成果荣膺会议颁发的青年科学家奖（Young Scientist Award）。其课题组两名专业学位研究生也因汇报表现优异，双双荣获最佳口头报告奖（Best Oral Presentation Award）。这些体现了学校在宽禁带功率器件与应用领域的学术影响力，以及在高层次专业型人才培养方面取得的成效。

图| 大会奖状

博士生王鹏飞是上科大首批在职专业型博士，现任台达电子资深电子设计经理，专注于服务器电源研发。他在论文“1.5KW HSC Converter Power Density-Efficiency Advancement: Enabled by Planar Transformer”中，面向数据中心与企业服务器对高效电源的迫切需求，提出基于电路拓扑优化和平面变压器设计的创新方案。该研究设计了一款1.5kW非隔离、非稳压降压型混合开关电容（HSC）转换器，仅通过两组1:1绕组实现4:1电压转换，大幅简化变压器结构及PCB布线，并利用对称电路有效均衡谐振电流、降低绕组损耗。在平面变压器设计中，采用异构UI型磁芯与三明治绕组结构，配合高频铁氧体材料，显著抑制漏磁、降低损耗。实验验证该转换器峰值效率达98.2%，满载效率97.4%，成功实现ZVS开关，波形与仿真高度吻合，为高功率密度电源系统发展提供了关键技术支持，具备重要的工业应用前景。

硕士生陈鹏宇为上科大与联影集团联合培养的专业型硕士，致力于植入式设备无线充电技术研究。他在论文“Minimizing Eddy Current Loss for Implanted Wireless Charger Through Phase Difference Optimization”中，针对植入医疗设备无线充电过程中金属外壳导致有害发热的行业难题，提出了基于相位差优化的控制方法。该研究跳出传统结构改造的局限，从电路层面建立涡流损耗模型，揭示了发射与接收线圈电流相位差与涡流损耗之间的定量关系。实验表明，将相位差由常规90°调整至最优角度，可降低涡流损耗70mW、温升下降0.4℃，在无需改动植入设备结构的前提下显著提升安全性，为高功率植入式充电系统提供了高效、临床适用的新路径。

王鹏飞与陈鹏宇是信息学院专业学位培养模式的优秀代表，他们在国际会议中的优异表现，充分展示了学院在专业学位研究生培养方面的扎实成效，也体现了国际学术平台在提升学生英文表达、跨文化沟通及学术展示能力方面的重要作用。上海科技大学信息科学与技术学院始终面向国家战略与产业前沿，深化“科教融合、产教融合”育人机制，依托校企合作与高水平科研平台，培养具有深厚理论基础、工程实践能力和国际视野的高层次应用型人才。此次获奖生动体现了学院专业学位教育的建设成果，彰显了产教协同育人的显著成效。