报告人简介：
纪幸辰，上海交通大学电子信息与电气工程学院长聘教轨副教授、博士生导师。2013年获北京交通大学学士学位，2018年获美国Cornell University博士学位，2018-2021年在美国Columbia University 从事博士后研究员工作，2021年12月加入上海交通大学。美国光学协会基金会挑战奖获得者（全球仅10人）、2023年上海科技青年35人引领计划获奖者，2022、2023、2024年连续三年入选全球前2%顶尖科学家年度科学影响力榜单。长期从事集成光子学和先进微纳制造方面的研究。目前在光学领域著名期刊和会议发表论文100余篇，包括Nature 2篇、Science Advances、Laser & Photonics Reviews、Optica等。

讲座摘要：
集成光子学，特别是硅光子学，由于其与CMOS制造工艺兼容的特性，实现了高密度、高产量、低成本地大规模光学器件制造，因此，在过去的二十年中得到了迅猛发展。氮化硅作为硅材料家族中新兴集成光子平台结合了超宽透明波长窗口、较高折射率以及半导体大规模制造兼容性等优点，在非线性光学、窄线宽激光器、大容量光通信、量子计算、传感和激光雷达等基础科学研究和实际应用方面都取得了重要进展。然而，如何制备超低损耗氮化硅集成光子芯片和揭示器件的光学损耗极限仍是本阶段面临的挑战。本报告将从集成光子芯片制备工艺出发，讨论氮化硅器件的微纳加工关键步骤和表征手段，分析推导现阶段器件的损耗极限。此外，本报告还将进一步讨论超低损耗氮化硅集成光子芯片的应用举例，如窄线宽激光器等，并简单介绍课题组现阶段工作。

邀请人：沈晓钦