报告人简介：
史志文，上海交通大学物理与天文学院教授。2012年于中国科学院物理研究所获物理学博士学位；随后在美国加州大学伯克利分校从事博士后研究；2016年加入上海交通大学物理与天文学院。长期从事实验凝聚态物理研究，研究领域涉及低维材料与器件、近场光学、激光光谱学、电输运等方面。已在石墨烯、碳纳米管和六方氮化硼等低维材料的研究中取得了多项原创性成果，在Science、Nature、Nature Physics、Nature Photonics、Nature Materials等一流学术期刊上发表论文80余篇，论文总引用10000余次。详见研究组网页：https://zhiwen.sjtu.edu.cn

讲座摘要：
二维石墨烯虽具有优异电输运性质，但由于没有能隙而无法用于构建晶体管器件。理论上，准一维的石墨烯纳米带及碳纳米管可由量子限域效应打开能隙，且能隙大小可通过结构来调控，是构建高性能电子器件与芯片的理想候选材料。
在本报告中，我将介绍一种在绝缘基底上直接生长高质量低维碳材料的全新技术方法。基于该方法，我们实现了：（1）石墨烯纳米带在氮化硼原子层间的嵌入式生长，形成“原位封装”的石墨烯纳米带结构；（2）手性一致平行密排碳纳米管阵列的直接生长，形成碳纳米管范德华晶体。此外，我还将介绍我们对材料生长机理的探索，以及基于这些低维碳材料构建的场效应晶体管器件的优异性能。研究结果显示这些低维碳材料在未来纳米电子学领域具有广阔的应用前景。
参考文献：
Nature, 628, 758 (2024)
Science, 387, 1310 (2025)

邀请人：齐彦鹏，蒋易凡，李刚